P+F電感式接近開關(guān)分類齊全NBB1.5-8GM50-E2

產(chǎn)品概述：

當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，

薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差，這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應(yīng)。

兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U，其表達式為

U=K·I·B/d

由此可見，霍爾效應(yīng)的靈敏度低與外加磁場的磁感應(yīng)強度成正比的關(guān)系。

霍爾開關(guān)就屬于這種有源磁電轉(zhuǎn)換器件，

它是在霍爾效應(yīng)原理的基礎(chǔ)上，

利用集成封裝和組裝工藝制作而成，

它可方便的把磁輸入信號轉(zhuǎn)換成實際應(yīng)用中的電信號，

同時又具備工業(yè)場合實際應(yīng)用易操作和可靠性的要求。

工作原理：

電感式接近開關(guān)由三大部分組成：

振蕩器、開關(guān)電路及放大輸出電路。

振蕩器產(chǎn)生一個交變磁場。

當金屬目標接近這一磁場，

并達到感應(yīng)距離時，

在金屬目標內(nèi)產(chǎn)生渦流，

從而導致振蕩衰減，以至停振。

振蕩器振蕩及停振的變化被后級放大電路處理并轉(zhuǎn)換成開關(guān)信號，

觸發(fā)驅(qū)動控制器件，從而達到非接觸式之檢測目的

熱門型號：

NBN4-12GM50-E2

NBN4-12GM50-E0

NBN4-12GM40-Z0

NJ4-12GM40-E2

NBB4-12GM50-E2

NBB4-12GM50-E0

NBB5-18GM50-E2

NBB5-18GM50-E0

NBB5-18GM60-A2

NBB5-18GM60-Z0

P+F電感式接近開關(guān)分類齊全NBB1.5-8GM50-E2